- RS Best.-Nr.:
- 124-6831
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5H025TNTL
- Marke:
- ROHM
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- RQ5H025TNTL
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 45 V |
Serie | RTR025N05 |
Gehäusegröße | SOT-346 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 175 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
Verlustleistung max. | 1 W |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Breite | 1.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,2 nC @ 4,5 V |
Länge | 3mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.95mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 124-6831
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5H025TNTL
- Marke:
- ROHM
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