- RS Best.-Nr.:
- 133-3299
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E035ATTCL
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 3,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Serie | RQ5E035AT |
Gehäusegröße | SOT-346 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.8mm |
Länge | 3mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
Höhe | 0.95mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 133-3299
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E035ATTCL
- Marke:
- ROHM
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