ROHM RE1C002ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin RE1C002ZPTL SC-75

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RS Best.-Nr.:
148-6960
Herst. Teile-Nr.:
RE1C002ZPTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RE1C002ZP

Gehäusegröße

SC-75

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

0.96 mm

Höhe

0.8mm

Länge

1.7mm

Automobilstandard

Nein

Niederspannungs-Antriebsart (12 V)

Pch-Kleinsignal-MOSFET

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Bleifrei/RoHS-konform

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