ROHM RU1C002ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:
124-6835
Herst. Teile-Nr.:
RU1C002ZPTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

RU1C002ZP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

2.1mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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