ROHM RU1C002ZP RU1C002ZPTCL P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 124-6835
- Herst. Teile-Nr.:
- RU1C002ZPTCL
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-323 |
| Serie | RU1C002ZP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9,6 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
| Verlustleistung max. | 150 mW |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.35mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,4 nC @ 4,5 V |
| Länge | 2.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 124-6835
- Herst. Teile-Nr.:
- RU1C002ZPTCL
- Marke:
- ROHM
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