ROHM RUF025N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 800 mW, 3-Pin RUF025N02TL SOT-323

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RS Best.-Nr.:
183-5622
Herst. Teile-Nr.:
RUF025N02TL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

RUF025N02

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

800mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.1mm

Breite

1.8 mm

Höhe

0.82mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)

N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Kleines SMD-Gehäuse

Bleifrei

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