ROHM Einfach RUF025N02 N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 183-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | RUF025N02 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 20 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 2.5 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 800 mW | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 820 μm | |
| Länge | 2.1 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 160 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie RUF025N02 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 20 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 2.5 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 800 mW | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 820 μm | ||
Länge 2.1 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 160 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 1.8 mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
Power MOSFETs are MADE as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering Compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low voltage(1.5V) drive type
Nch Small-signal MOSFET
Small Surface Mount Package
Pb Free