Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	2,5 A
	Drain-Source-Spannung max.	20 V
	Gehäusegröße	SOT-323
	Serie	RUF025N02
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	160 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1.3V
	Gate-Schwellenspannung min.	0.3V
	Verlustleistung max.	800 mW
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±10 V
	Länge	2.1mm
	Betriebstemperatur max.	150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	5 nC @ 4,5 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	1.8mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	0.82mm

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 2,5 A
	Drain-Source-Spannung max. 20 V
	Gehäusegröße SOT-323
	Serie RUF025N02
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 160 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1.3V
	Gate-Schwellenspannung min. 0.3V
	Verlustleistung max. 800 mW
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±10 V
	Länge 2.1mm
	Betriebstemperatur max. 150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 5 nC @ 4,5 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 1.8mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 0.82mm

Datasheet RUF025N02TL

Ursprungsland:: JP

Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)

N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Kleines SMD-Gehäuse

Bleifrei

ROHM RUF025N02 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323

Verwandte Links