ROHM Einfach RUF025N02 Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 2.5 A, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 183-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Marke:
- ROHM
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801,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,267 € | 801,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 183-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | RUF025N02 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Höhe | 0.82mm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie RUF025N02 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 1.8 mm | ||
Höhe 0.82mm | ||
Länge 2.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Ein-Widerstand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Breites Sortiment für kompakte Typen, Hochleistungs-Typen und komplexe Typen, um verschiedene Anforderungen auf dem Markt zu erfüllen.
Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
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