- RS Best.-Nr.:
- 183-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Serie | RUF025N02 |
Gehäusegröße | SOT-323 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
Verlustleistung max. | 800 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±10 V |
Länge | 2.1mm |
Breite | 1.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | 150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 4,5 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.82mm |
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