Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
130-0906
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R1K4P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

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