Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
168-5917
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R1K4P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™P7


Die Leistungs-MOSFET-Familie CoolMOS P7 mit 800 V bietet einen noch höheren Wirkungsgrad und eine größere Wärmeleistung. Geeignete Anwendungen sind Leistungsadapter, LED-Beleuchtung, Audio, Industrie- und Hilfsversorgung.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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