Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

11,74 €

(ohne MwSt.)

13,97 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 90 Einheit(en) mit Versand ab 27. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 401,174 €11,74 €
50 - 901,116 €11,16 €
100 - 2401,068 €10,68 €
250 - 4901,02 €10,20 €
500 +0,644 €6,44 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
130-0923
Herst. Teile-Nr.:
IPP055N03LGXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.95mm

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30 V maximale Drain-Source-Spannung - IPP055N03LGXKSA1


Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für verschiedene elektronische Anwendungen, einschließlich Power-Management-Systeme, konzipiert. Er verfügt über ein TO-220-Gehäuse mit den Abmessungen 10,36 mm x 4,57 mm x 15,95 mm (Through-Hole). Dieses Gerät, das speziell für die Automatisierungs- und Elektroindustrie geeignet ist, gewährleistet optimale Leistung unter harten Bedingungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Schnelles Schalten steigert die Effizienz von Leistungsanwendungen

• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand minimiert die Verlustleistung im Betrieb

• Lawinengeprüft für verbesserte Haltbarkeit unter Belastung

• N-Kanal-Design auf Logikebene ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben

• Maximaler Dauerstrom von 50 A unterstützt anspruchsvolle Aufgaben

Anwendungen


• Verwendet für die DC/DC-Wandlung in Stromversorgungen

• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in hocheffizienten Umrichtern

• Erleichtert die Motorsteuerung in industriellen Automatisierungssystemen

• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

• Geeignet sowohl für Unterhaltungselektronik als auch für erneuerbare Energien

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) bei Leistungsanwendungen?


Ein niedriger RDS(on) verringert den Spannungsabfall im Ein-Zustand, was die Wärmeentwicklung direkt verringert und die Effizienz verbessert. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung bei Hochstromanwendungen und sorgt dafür, dass weniger Energie in Form von Wärme verschwendet wird.

Wie verhält sich dieser MOSFET bei hohen Temperaturen im Betrieb?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C verfügt er über robuste thermische Eigenschaften, die einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen ohne Leistungseinbußen ermöglichen.

Für welche Arten von Anwendungen eignet sich das Enhancement-Mode-Transistor-Design?


Enhancement-Mode-Transistoren werden häufig in Schaltanwendungen eingesetzt, da sie eine hervorragende Kontrolle über den Stromfluss bieten und sich somit ideal für effiziente Power-Management-Lösungen eignen. Dazu gehört die Verwendung in Stromversorgungen und Gleichstrommotoren.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.