Infineon OptiMOS™ 3 IPP055N03LGXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 130-0923
Herst. Teile-Nr.:: IPP055N03LGXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPP055N03LGXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin TO-220

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10 - 40	0,937 €	9,37 €
50 - 90	0,891 €	8,91 €
100 - 240	0,853 €	8,53 €
250 - 490	0,815 €	8,15 €
500 +	0,515 €	5,15 €

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RS Best.-Nr.:: 130-0923
Herst. Teile-Nr.:: IPP055N03LGXKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	68 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.57mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 4,5 V
Höhe	15.95mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C