Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP

RS Best.-Nr.:: 133-0154
Herst. Teile-Nr.:: CSD19502Q5BT
Marke:: Texas Instruments

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20 - 48	1,60 €	3,20 €
50 - 98	1,45 €	2,90 €
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RS Best.-Nr.:: 133-0154
Herst. Teile-Nr.:: CSD19502Q5BT
Marke:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	157 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	NexFET
Gehäusegröße	VSON-CLIP
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	4,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.3V
Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
Verlustleistung max.	195 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	130 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.1mm
Breite	5.1mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.05mm
Diodendurchschlagsspannung	1V

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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