Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSON

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RS Best.-Nr.:
823-9259P
Herst. Teile-Nr.:
CSD19531Q5AT
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

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