Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W VSON-CLIP
- RS Best.-Nr.:
- 252-8477
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17308Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
8,32 €
(ohne MwSt.)
9,90 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 490 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,832 € | 8,32 € |
| 50 - 90 | 0,79 € | 7,90 € |
| 100 - 240 | 0,71 € | 7,10 € |
| 250 - 490 | 0,64 € | 6,40 € |
| 500 + | 0,608 € | 6,08 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-8477
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17308Q3T
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | VSON-CLIP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße VSON-CLIP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Verwandte Links
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W VSON-CLIP
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W DSBGA
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W VSONP
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W CSD13306WT DSBGA
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W CSD17578Q3AT VSONP
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -3.6 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 2.1 A 1.9 W PICOSTAR