Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 125 W, 8-Pin VSONP
- RS Best.-Nr.:
- 208-8485P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19531Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
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- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | VSONP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.9mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße VSONP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.9mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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