Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 108 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:
208-8480
Herst. Teile-Nr.:
CSD17575Q3
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

VSONP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

108W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

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