Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 16 V / 100 A 3.1 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:
208-8475
Herst. Teile-Nr.:
CSD16403Q5A
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

16V

Gehäusegröße

VSONP

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Länge

4.8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.9 mm

Automobilstandard

Nein

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