Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.1 W, 8-Pin SON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

7,02 €

(ohne MwSt.)

8,355 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.765 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +1,404 €7,02 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
827-4684
Herst. Teile-Nr.:
CSD16321Q5
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


Verwandte Links