Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP

RS Best.-Nr.:: 162-8526
Herst. Teile-Nr.:: CSD16321Q5
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP

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RS Best.-Nr.:: 162-8526
Herst. Teile-Nr.:: CSD16321Q5
Marke:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Gehäusegröße	VSON-CLIP
Serie	NexFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	3,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.4V
Gate-Schwellenspannung min.	0.9V
Verlustleistung max.	3,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 4,5 V
Breite	5.1mm
Länge	6.1mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.05mm

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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