Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 134 A 3.1 W, 8-Pin SON

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
827-4886P
Herst. Teile-Nr.:
CSD18531Q5A
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

134A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.8mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


Verwandte Links