Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 60 A 3 W, 8-Pin SON

RS Best.-Nr.:: 162-8530
Herst. Teile-Nr.:: CSD16340Q3
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 60 A 3 W, 8-Pin SON

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RS Best.-Nr.:: 162-8530
Herst. Teile-Nr.:: CSD16340Q3
Marke:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Gehäusegröße	SON
Serie	NexFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	7,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.1V
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,5 nC @ 4,5 V
Breite	3.4mm
Länge	3.4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 60 A 3 W, 8-Pin SON

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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