Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 47 A 2,7 W, 8-Pin SON

Marke

Texas Instruments

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

47 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SON

Serie

NexFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

16,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.8V

Gate-Schwellenspannung min.

0.9V

Verlustleistung max.

2,7 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,9 nC @ 4,5 V

Breite

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C