Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 47 A 2,7 W, 8-Pin SON

RS Best.-Nr.:: 162-8541
Herst. Teile-Nr.:: CSD17308Q3
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 47 A 2,7 W, 8-Pin SON

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RS Best.-Nr.:: 162-8541
Herst. Teile-Nr.:: CSD17308Q3
Marke:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	47 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	NexFET
Gehäusegröße	SON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	16,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.8V
Gate-Schwellenspannung min.	0.9V
Verlustleistung max.	2,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,9 nC @ 4,5 V
Länge	3.4mm
Breite	3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 47 A 2,7 W, 8-Pin SON

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

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