Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 16 V / 100 A 3.1 W, 8-Pin VSONP

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
208-8474
Herst. Teile-Nr.:
CSD16403Q5A
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

16V

Gehäusegröße

VSONP

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.3nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Länge

4.8mm

Automobilstandard

Nein

-

-

Verwandte Links