Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 50 A 63 W, 8-Pin VSONP
- RS Best.-Nr.:
- 208-8487
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19534Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
5,90 €
(ohne MwSt.)
7,00 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 220 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 7.890 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,59 € | 5,90 € |
| 50 - 90 | 0,578 € | 5,78 € |
| 100 - 240 | 0,469 € | 4,69 € |
| 250 - 990 | 0,457 € | 4,57 € |
| 1000 + | 0,445 € | 4,45 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 208-8487
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19534Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | VSONP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße VSONP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.8 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
-
-
Verwandte Links
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal 8-Pin VSONP
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.9 W VSONP