Texas Instruments Einfach NexFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 100 A 3.2 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 827-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18563Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | VSONP | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße VSONP | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||