Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

RS Best.-Nr.:: 823-9259
Herst. Teile-Nr.:: CSD19531Q5AT
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET CSD19531Q5AT N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

1215 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,934 €

(ohne MwSt.)

2,301 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	1,934 €	9,67 €
25 - 45	1,838 €	9,19 €
50 - 120	1,654 €	8,27 €
125 - 245	1,488 €	7,44 €
250 +	1,412 €	7,06 €
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 823-9259
Herst. Teile-Nr.:: CSD19531Q5AT
Marke:: Texas Instruments

Mehr Infos und technische Dokumente

ESD Control Selection Guide V1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	NexFET
Gehäusegröße	VSONP
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	7,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.3V
Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	37 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.1mm

RS Best.-Nr.:: 823-9259
Herst. Teile-Nr.:: CSD19531Q5AT
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