Teile-Nr.

ROHM RQ3G100GN Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 15 W, 8-Pin HSMT

RS Best.-Nr.:: 133-3295
Herst. Teile-Nr.:: RQ3G100GNTB
Marke:: ROHM

ROHM RQ3G100GN Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 15 W, 8-Pin HSMT

Nicht verfügbar

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RS Best.-Nr.:: 133-3295
Herst. Teile-Nr.:: RQ3G100GNTB
Marke:: ROHM

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	27A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	RQ3G100GN
	Gehäusegröße	HSMT
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	18.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.4nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	15W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	0.85mm
	Länge	3.3mm
	Breite	3.1 mm

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie RQ3G100GN
	Gehäusegröße HSMT
	Montageart SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 15W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 0.85mm
	Länge 3.3mm
	Breite 3.1 mm

Ursprungsland:: JP

ROHM RQ3G100GN Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 15 W, 8-Pin HSMT

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

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