Infineon OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 133-9834
Herst. Teile-Nr.:: BSC009NE2LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 133-9834
Herst. Teile-Nr.:: BSC009NE2LS5ATMA1
Marke:: Infineon

BSC009NE2LS5 OptiMOS5 Power MOSFET 25V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	1,25 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	74 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	+16 V
Länge	5.49mm
Breite	6.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	43 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.1mm
Diodendurchschlagsspannung	1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

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