Infineon OptiMOS™ BSC052N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 215-2460
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 5000)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,908 € | 4.540,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2460
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon OptiMOSTM5Power-Transistor hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 80 V mit SuperSO8 5x6-Gehäuseausführung. Er kann als Telekommunikationsserver, Solar-, Niederspannungsantriebe, leichte Elektrofahrzeuge und Adapter eingesetzt werden. Er ist für Hochleistungs-SMPS optimiert, z. B. Sync.rec und überlegener Wärmewiderstand.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 95 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Serie | OptiMOS™ |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0052 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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