Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 83 W, 8-Pin SuperSO

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

4.685,00 €

(ohne MwSt.)

5.575,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,937 €4.685,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-2460
Herst. Teile-Nr.:
BSC052N08NS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SuperSO

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOSTM5Power-Transistor hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 80 V mit SuperSO8 5x6-Gehäuseausführung. Er kann als Telekommunikationsserver, Solar-, Niederspannungsantriebe, leichte Elektrofahrzeuge und Adapter eingesetzt werden. Er ist für Hochleistungs-SMPS optimiert, z. B. Sync.rec und überlegener Wärmewiderstand.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %

Verwandte Links