Infineon OptiMOS™ BSC034N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 215-2459
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC034N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
0,613 €
(ohne MwSt.)
0,729 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,613 € | 12,26 € |
| 100 - 180 | 0,582 € | 11,64 € |
| 200 - 480 | 0,558 € | 11,16 € |
| 500 - 980 | 0,533 € | 10,66 € |
| 1000 + | 0,496 € | 9,92 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 215-2459
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC034N03LSGATMA1
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon OptiMOS'3 Power-MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung mit SuperSO8 5x6-Gehäuseausführung. Die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen machen OptiMOS TM 25 V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen. OptiMOS TM 30-V-Produkte sind durch verbessertes EMI-Verhalten sowie eine längere Batterie auf die Anforderungen der Energieverwaltung im Notebook zugeschnitten. Erhältlich in Halbbrücken-Konfiguration (Leistungsstufe 5x6).
Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal
Logikpegel
Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Überlegener Wärmewiderstand
Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Überlegener Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0051 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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