Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 83 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
215-2461
Herst. Teile-Nr.:
BSC052N08NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SuperSO

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOSTM5Power-Transistor hat eine maximale Drain-Source-Spannung von 80 V mit SuperSO8 5x6-Gehäuseausführung. Er kann als Telekommunikationsserver, Solar-, Niederspannungsantriebe, leichte Elektrofahrzeuge und Adapter eingesetzt werden. Er ist für Hochleistungs-SMPS optimiert, z. B. Sync.rec und überlegener Wärmewiderstand.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %

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