Vishay SUP50020E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 134-9705
Herst. Teile-Nr.:: SUP50020E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SUP50020E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

Voraussichtlich ab 06.01.2026 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

2,61 €

(ohne MwSt.)

3,11 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	2,61 €	5,22 €
20 - 98	2,455 €	4,91 €
100 - 198	2,215 €	4,43 €
200 - 498	2,09 €	4,18 €
500 +	1,96 €	3,92 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 134-9705
Herst. Teile-Nr.:: SUP50020E-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	375 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.51mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	126 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.65mm
Höhe	15.49mm
Diodendurchschlagsspannung	1.5V
Betriebstemperatur min.	–55 °C