C2M0280120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 10 A, 62,5 W, TO-247 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 145-0971
  • Herst. Teile-Nr. C2M0280120D
  • Marke Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb

MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 10 A
Drain-Source-Spannung max. 1200 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 370 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 62,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 5.21mm
Länge 16.13mm
Diodendurchschlagsspannung 3.3V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20,4 nC @ 20 V
Breite 21.1mm
Transistor-Werkstoff SiC
270 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 30)
4,852
(ohne MwSt.)
5,774
(inkl. MwSt.)
Stück
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30 +
4,852 €
145,56 €
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