Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 3 A 104 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
145-1656
Herst. Teile-Nr.:
SIHD3N50D-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.38mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links