Vishay D Series SIHD3N50D-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 3 A 104 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 145-1656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD3N50D-GE3
- Marke:
- Vishay
350 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
0,729 €
(ohne MwSt.)
0,868 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | 0,729 € | 36,45 € |
| 100 - 200 | 0,554 € | 27,70 € |
| 250 + | 0,511 € | 25,55 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 145-1656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD3N50D-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Serie | D Series |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 104 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 6.73mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Breite | 6.22mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 2.38mm |
- RS Best.-Nr.:
- 145-1656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHD3N50D-GE3
- Marke:
- Vishay
Verwandte Produkte
- Vishay E Series SIHD11N80AE-T1-GE3 N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay SUD23N06-31-GE3 N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay E Series SiHD5N80AE-GE3 N-Kanal4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay SIHLR120TR-GE3 N-Kanal7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal2 A 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay E SIHD11N80AE-GE3 N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay SIHD186N60EF-GE3 N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal9 A 62 3-Pin DPAK (TO-252)