Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 217-2535
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R450P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 217-2535
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R450P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	14A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	950V
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	450mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	35nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	104W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 950V
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 104W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD95R450P7ATMA1

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 950 V Drain-Source-Spannung, 14 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD95R450P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich für Industrie- und Automobilanwendungen und wird in einem oberflächenmontierten TO-252-Gehäuse für eine kompakte Integration auf Board-Ebene geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• 950 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 14 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 104 W Verlustleistung zur Bewältigung thermischer Belastungen unter Last
• 450 mΩ RDS(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs
• 35 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V unterstützt robuste Gate-Ansteuerung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für Kfz-Stromversorgungs-Subsysteme, die die Anforderungen von AEC-Q101 erfüllen
• Wird mit Schaltnetzteilen verwendet, die erhöhte Spannungen bewältigen
• Kann für industrielle Motorantriebsschnittstellen verwendet werden
• Wird für DC/DC-Wandler verwendet, die einen oberflächenmontierbaren Formfaktor erfordern

In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?

Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.

Wie viele Pins verfügt das Gerät für das Leiterplatten-Routing?

Die Komponente verfügt über drei elektrische Anschlüsse für Gate, Drain und Source.

Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?

Sie ist für die Oberflächenmontage auf entsprechenden Lötpads vorgesehen.

Wie hoch ist die Durchlassspannung der intrinsischen Gehäusediode?

Die Durchlassspannung der Diode ist auf 0,9 V angegeben.