Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2535
Herst. Teile-Nr.:
IPD95R450P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die neueste 950V CoolMOS TM P7-Serie von Infineon setzt eine neue Marke in 950V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt.

Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss; Reduzierter Qg, Ziss und KossBest-in-Class DPAK RDS(on) von 450 mΩ

Klassenbeste VGS(th) von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V

Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

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