Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 14 A 104 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2536
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD95R450P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPD95R450P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 950 V Drain-Source-Spannung, 14 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD95R450P7ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich für Industrie- und Automobilanwendungen und wird in einem oberflächenmontierten TO-252-Gehäuse für eine kompakte Integration auf Board-Ebene geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• 950 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 14 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 104 W Verlustleistung zur Bewältigung thermischer Belastungen unter Last
• 450 mΩ RDS(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs
• 35 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V unterstützt robuste Gate-Ansteuerung
• 14 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 104 W Verlustleistung zur Bewältigung thermischer Belastungen unter Last
• 450 mΩ RDS(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs
• 35 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V unterstützt robuste Gate-Ansteuerung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für Kfz-Stromversorgungs-Subsysteme, die die Anforderungen von AEC-Q101 erfüllen
• Wird mit Schaltnetzteilen verwendet, die erhöhte Spannungen bewältigen
• Kann für industrielle Motorantriebsschnittstellen verwendet werden
• Wird für DC/DC-Wandler verwendet, die einen oberflächenmontierbaren Formfaktor erfordern
• Ideal für Kfz-Stromversorgungs-Subsysteme, die die Anforderungen von AEC-Q101 erfüllen
• Wird mit Schaltnetzteilen verwendet, die erhöhte Spannungen bewältigen
• Kann für industrielle Motorantriebsschnittstellen verwendet werden
• Wird für DC/DC-Wandler verwendet, die einen oberflächenmontierbaren Formfaktor erfordern
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Wie viele Pins verfügt das Gerät für das Leiterplatten-Routing?
Die Komponente verfügt über drei elektrische Anschlüsse für Gate, Drain und Source.
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Sie ist für die Oberflächenmontage auf entsprechenden Lötpads vorgesehen.
Wie hoch ist die Durchlassspannung der intrinsischen Gehäusediode?
Die Durchlassspannung der Diode ist auf 0,9 V angegeben.
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