Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin IPD038N06NF2SATMA1 TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

7,54 €

(ohne MwSt.)

8,97 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 900,754 €7,54 €
100 - 2400,716 €7,16 €
250 - 4900,686 €6,86 €
500 - 9900,656 €6,56 €
1000 +0,415 €4,15 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-5867
Herst. Teile-Nr.:
IPD038N06NF2SATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.

Bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Verwandte Links