Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 262-5866
Herst. Teile-Nr.:: IPD038N06NF2SATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 262-5866
Herst. Teile-Nr.:: IPD038N06NF2SATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.15mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD038N06NF2SATMA1

Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.

Bleifreie Kabelbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A, 3-Pin TO-252

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