Teile-Nr.

onsemi N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7,1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

RS Best.-Nr.:: 145-3128
Herst. Teile-Nr.:: NDF06N60ZG
Marke:: onsemi

onsemi N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7,1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:: 145-3128
Herst. Teile-Nr.:: NDF06N60ZG
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	7,1 A
	Drain-Source-Spannung max.	600 V
	Gehäusegröße	TO-220FP
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	1,2 Ω
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
	Verlustleistung max.	35 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	4.9mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	31 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Länge	10.63mm
	Höhe	16.12mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 7,1 A
	Drain-Source-Spannung max. 600 V
	Gehäusegröße TO-220FP
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 1,2 Ω
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4.5V
	Verlustleistung max. 35 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 4.9mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 31 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff Si
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Länge 10.63mm
	Höhe 16.12mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: KR

onsemi N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7,1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

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