onsemi N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 7,1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
145-3128
Herst. Teile-Nr.:
NDF06N60ZG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,1 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Verlustleistung max.

35 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31 nC @ 10 V

Länge

10.63mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.12mm

Ursprungsland:
KR

N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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