STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 29 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 761-2815
- Herst. Teile-Nr.:
- STF34NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 761-2815
- Herst. Teile-Nr.:
- STF34NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 29 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 105 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 40 W | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 84 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 29 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 105 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 40 W | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 84 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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