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    onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

    RS Best.-Nr.:
    671-4733
    Herst. Teile-Nr.:
    2N7000
    Marke:
    onsemi
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    Produktdetails

    N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


    Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.


    MOSFET-Transistoren, ON Semi


    On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
    On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.200 mA
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeTO-92
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.5 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.0.8V
    Verlustleistung max.400 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge5.2mm
    Breite4.19mm
    Höhe5.33mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
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