Infineon ISK024NE2LM5 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 55 A, 6-Pin PQFN 2 x 2

Der Infineon OptiMOSTM 5-Leistungs-MOSFET mit 25 V, 2,4 mΩ, kleinster Formfaktor im PQFN 2x2-Gehäuse. Mit der neuen BIC OptiMOSTM 5-in-25-V- und 30-V-Produktfamilie bietet Infineon eine erstklassige Lösung für Effizienz in einem kleinen Formfaktor und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen wie drahtloses Laden, Lastschalter und DC-DC-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. Das kleine 4-mm2-PQFN-2x2-Gehäuse in Kombination mit hervorragender elektrischer Leistung trägt zur Verbesserung des Formfaktors in Endanwendungen bei, da es einen niedrigen RDSon von 2,4 mΩ bietet.

Überlegener Wärmewiderstand für ein PQFN 2x2-Gehäuse
Optimiert für höchste Leistung und Leistungsdichte
Der branchenweit niedrigste RDSon im kleinsten PQFN 2x2-Gehäuse
2x2-Gehäuse N-Kanal
100 % Avalanche geprüft
Pb-freie Bleibeschichtung