Infineon ISK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 55 A 171 W, 6-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
240-6376
Herst. Teile-Nr.:
ISK024NE2LM5
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

ISK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

171W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

0.81V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOSTM 5-Leistungs-MOSFET mit 25 V, 2,4 mΩ, kleinster Formfaktor im PQFN 2x2-Gehäuse. Mit der neuen BIC OptiMOSTM 5-in-25-V- und 30-V-Produktfamilie bietet Infineon eine erstklassige Lösung für Effizienz in einem kleinen Formfaktor und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen wie drahtloses Laden, Lastschalter und DC-DC-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. Das kleine 4-mm2-PQFN-2x2-Gehäuse in Kombination mit hervorragender elektrischer Leistung trägt zur Verbesserung des Formfaktors in Endanwendungen bei, da es einen niedrigen RDSon von 2,4 mΩ bietet.

Überlegener Wärmewiderstand für ein PQFN 2x2-Gehäuse

Optimiert für höchste Leistung und Leistungsdichte

Der branchenweit niedrigste RDSon im kleinsten PQFN 2x2-Gehäuse

2x2-Gehäuse N-Kanal

100 % Avalanche geprüft

Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform

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