Infineon Doppelt IRF7343PbF Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 55 V Entleerung / 4.7 A 2 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

9,11 €

(ohne MwSt.)

10,84 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3.510 Einheit(en) mit Versand ab 26. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 400,911 €9,11 €
50 - 900,71 €7,10 €
100 - 2400,665 €6,65 €
250 - 4900,619 €6,19 €
500 +0,574 €5,74 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-1915
Herst. Teile-Nr.:
IRF7343TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

IRF7343PbF

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.96V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Der Infineon IRF7343 ist der zweifache N- und P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit 55 V in einem SO-8-Gehäuse.

RoHS-kompatibel

Niedriger RDS (EIN)

Dynamische dv/dt-Bewertung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links