Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage IR-MOSFET Doppelt -30 V / -4 A, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
258-8196
Herst. Teile-Nr.:
IRF7306TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IR-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Doppelt

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein