Infineon HEXFET AUIRF7103QTR N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 3 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-4607
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7103QTR
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4607
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7103QTR
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand
Logikebenen-Gate-Antrieb
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand
Logikebenen-Gate-Antrieb
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,13 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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