Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 215-2590
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8910TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
17,60 €
(ohne MwSt.)
20,95 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,704 € | 17,60 € |
| 125 - 225 | 0,67 € | 16,75 € |
| 250 - 600 | 0,641 € | 16,03 € |
| 625 - 1225 | 0,613 € | 15,33 € |
| 1250 + | 0,571 € | 14,28 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2590
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8910TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET hat eine maximale 20-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Es hat Anwendung als zweifacher SO-8 MOSFET für POL-Wandler in Desktop-, Server-, Grafikkarten-, Spielkonsolen- und Set-Top-Box.
Bleifrei
Niedriger RDS (EIN)
Besonders niedrige Gate-Impedanz
Zweifacher N-Kanal-MOSFET
Verwandte Links
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC