Infineon HEXFET IRF7831TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 21 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 215-2586
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7831TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
0,881 €
(ohne MwSt.)
1,048 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,881 € | 17,62 € |
| 100 - 180 | 0,837 € | 16,74 € |
| 200 - 480 | 0,801 € | 16,02 € |
| 500 - 980 | 0,766 € | 15,32 € |
| 1000 + | 0,714 € | 14,28 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 215-2586
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7831TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Er verfügt über einen synchronen Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für Anwendungen in Netzwerk- und Computersystemen.
RoHS-kompatibel
Branchenführende Qualität
Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS
Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben
Besonders niedrige Gate-Impedanz
Branchenführende Qualität
Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS
Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben
Besonders niedrige Gate-Impedanz
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0036 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.35V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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