Infineon Doppelt HEXFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8.1 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 168-6026
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL6372TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 168-6026
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL6372TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon
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