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Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET / 5 A, 8-Pin SO-8

Name: Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET / 5 A, 8-Pin SO-8
Brand: Infineon
SKU: 258-8195
Availability: InStock

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5A
	Gehäusegröße	SO-8
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.13Ω
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	27nC
	Höhe	1.75mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A
	Gehäusegröße SO-8
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.13Ω
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC
	Höhe 1.75mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

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