Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5933
Herst. Teile-Nr.:: IRF7241TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 4000)**

0,347 €

(ohne MwSt.)

0,413 €

(inkl. MwSt.)

120 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Rolle**
4000 +	0,347 €	1.388,00 €

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 165-5933
Herst. Teile-Nr.:: IRF7241TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7241TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6,2 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	53 nC @ 10 V
Breite	4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 6,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Verwandte Produkte