Infineon HEXFET IRF9321TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 915-4982
Herst. Teile-Nr.:: IRF9321TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF9321TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

7080 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,686 €

(ohne MwSt.)

0,816 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	0,686 €	13,72 €
100 - 480	0,442 €	8,84 €
500 - 980	0,399 €	7,98 €
1000 - 2480	0,353 €	7,06 €
2500 +	0,326 €	6,52 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 915-4982
Herst. Teile-Nr.:: IRF9321TRPBF
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	15 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	11,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	65 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V