Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.3 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:
IRF7389TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

98mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

0.78V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon


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